Новостная рассылка
компании ЛионТех

Наша рассылка содержит:

- Новинки оборудования
- Акции компании
- Оповещения о семинарах
- Новости компании
- Интересные статьи




+7 (812) 309-27-37
+7 (495) 646-14-76
+7 (800) 555-68-89
Oborudovanie dlya proizvodstva ehlektroniki.jpg
Меню

В вашем браузере отключен java-script.

Включите его в настройках браузера,
или обратитесь к своему системному администратору.


MT2010, 3000 - измерительно-инспекционные системы контроля качества полупроводниковых пластин

MT2010, 3000 - измерительно-инспекционные системы контроля качества полупроводниковых пластин

Скачать PDF


MT2010 – это полуавтоматическая (MT3000 – полностью автоматизированная) система контроля качества полупроводниковых пластин, с помощью которой можно осуществлять контроль и анализ дефектов, измерения критических размеров (CD), степени совмещения технологических слоев на пластине, а также толщин слоев/пленок. Система работает в прямом и отраженном свете видимого, УФ, дальнего УФ и ИК излучения. 


Система может быть использована для контроля качества пластин, масок, МЭМС и нестандартных подложек размером от 3” до 8”.

Контроль и анализ дефектов

analiz-defektov.jpg

  • Гибкая настройка и конфигурация системы;
  • Габариты пластин/МЭМС от 2” до 200 мм;
  • Габариты подложек/масок от 4” до 22” (от 100 до 550 мм);
  • Контроль в видимом, УФ и ИК диапазонах;
  • Инспекция в произвольной последовательности;
  • Самообучающаяся система;
  • Лазерная автофокусировка в режиме реального времени;
  • Масштабируемая производительность;
  • Масштабируемая чувствительность к дефектам;
  • Последовательная инспекция от кристалла к кристаллу;
  • Последовательная инспекция от пластины к пластине;
  • Онлайн и оффлайн анализ дефектов;
  • Классификация дефектов на базе предустановленных фильтров;
  • Программное и аппаратное обеспечение конфигурируется в соответствии с требованиями заказчика.


Типовые технические характеристики

Размер подложки

25х25 мм

150х150 мм

225х225 мм

350х350 мм

Размер дефекта

Минуты

1 мкм

1

30

70

160

2 мкм

0,25

8

18

40

5 мкм

0,07

2

5

10



Размер пластины

125 мм

150 мм

200 мм

300 мм

Размер дефекта

Минуты

1 мкм

16

24

40

100

2 мкм

4

6

10

24

5 мкм

1

15

2,5

6


Измерение критических размеров (CD-измерения)

izmerenie-kriticheskih-razmerov.jpg

  • Лазерная автофокусировка
  • Автофокусировка изображения
  • Измерения размеров по оси Z
  • Измерения реперных точек и отверстий
  • Измерения в условиях размытия края изображения
  • Измерение элементов топологии
  • Выравнивание фона изображения
  • Разные алгоритмы для работы с масками и пластинами
  • Множественные одновременные измерения по осям XY
  • Гибкое программное обеспечение для калибровки

Типовые технические характеристики

Травление пластин

≤ 4 нм 3 σ

Резист на металле

≤ 9 нм 3 σ

Маски, COG

≤ 1 нм 3 σ

Минимальный размер структуры

0,8 мкм (в видимом излучении), 0,5 (в УФ-излучении)

Производительность

≥ 70 пластин в час


Измерение степени совмещения технологических слоев на пластине (оверлей-измерения)

stepen-sovmeshcheniya-sloev.jpg

  • Квадрат в квадрате
  • Рамка в рамке
  • L-решетка
  • Круг в круге
  • Измерения нестандартных структур
  • Многоуровневая фокусировка
  • Автоматизированный расчет и коррекция индуцированного инструментом смещения (TIS)

Типовые технические характеристики

Травление пластин

≤ 2 нм 3 σ

Резист на металле

≤ 4 нм 3 σ

TIS

≤ 3 нм 3 σ

Производительность

≥ 70 пластин в час


Измерение толщины пленки

izmerenie-tolshchiny-plenki.jpg

  • Прозрачные и полупрозрачные материалы
  • От 1 до 3 слоев
  • Диапазон измерения толщины от 10 нм до 40 мкм
  • Алгоритм с использованием быстрого преобразования Фурье (FFT)
  • Программируемый диаметр пучка лазера
  • Измерение в активной области интегральной схемы

Типовые технические характеристики

Оксиды, нитриды

≤ 1 нм 3 σ

Резист

≤ 3 нм 3 σ

Производительность

≥ 70 пластин в час


Инфракрасная микроскопия и контроль дефектов

mikroskopiya-i-kontrol-defektov.jpg

  • Оптимизированная под ИК-излучение оптика
  • InGaAs камера
  • Измерения в отраженном и проходящем ИК / ближнем ИК свете
  • Лазерная автофокусировка
  • Контроль герметичности
  • Контроль целостности изделия
  • Контроль качества сращивания пластин
  • Контроль склеенных пластин
  • Контроль пластин «Кремний на изоляторе»
  • Автоматическая классификация дефектов
  • Онлайн и оффлайн анализ дефектов
  • Оверлей-измерения слоев сверху-вниз
  • Измерения критических размеров

Типовые технические характеристики

Диапазон излучения

1050-1550 нм

Степень увеличения

2,5х, 5х, 10х, 20х, 63х, 100х

Производительность

зависит от задачи